型号:SPB80N06S2L-H5 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 5 毫欧 @ 80A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 230µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 190nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 6640pF @ 25V |
功率_最大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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